Toshiba и её партнёр по сектору NAND SanDisk вынашивают планы
массового производства микросхем флэш-памяти по 20-нм техпроцессу во
второй половине 2010 года, согласно источникам в индустрии. Вместе с
переходом на новую технологию совместные производственные мощности
компаний в Йоккаичи (префектура Мие, Япония) будут выпускать до 200
тыс. пластин ежемесячно. Toshiba, недавно начавшая массовые поставки
32-нм устройств с тремя битами на ячейку (3bpc), ожидает, что к концу
этого года с линий в Йоккаичи будет сходить более 50% этой продукции.
Тем временем, конкурирующая группа из Intel и Micron Technology
планирует представить 2х-нм технологический процесс позже в 2009 году.
Массовый выпуск их 32-Гбит чипов NAND с использованием 34-нм 3bpc уже
на подходе – задача поставлена совместной структуре IM Flash
Technologies. Прилагает усилия для завоевания большей доли рынка
SSD-дисков и Samsung, модифицируя оборудование для выпуска 8" пластин в
Остине, Техас под 12" с целью выхода большего количества микросхем NAND
начиная со второй половины 2010 года. В настоящий момент корейский
гигант применяет 42-нм технологию. Структура стоимости SSD-накопителей
будет существенно оптимизирована с переходом флэш-памяти на 2х-нм
техпроцесс, ускоряя таким образом замену жёстких дисков.
|