Компания Innovative Silicon, Inc (ISi) заявила о двух существенных
прорывах в своей технологии памяти Z-RAM (zero-capacitor RAM). Напомним,
Z-RAM отличается от традиционной памяти отсутствием конденсаторов для
хранения информации. Запись и хранение данных в этой технологии основаны
на так называемом эффекте "плавающего тела” (FB, floating body).
Инженерам ISi удалось снизить напряжение питания Z-RAM до уровня ниже
1 В. Это самое низкое значение среди других технологий памяти с
"плавающим телом”. Новое достижение позволило впервые сравнять по этому
показателю FB-память с традиционной DRAM-памятью. Второй прорыв состоит в
реализации Z-RAM на основе объемного кремния с использованием структур
трехмерных (неплоских) транзисторов, широко применяемых производителями
DRAM-памяти. Это позволяет отказаться от использования субстратов SOI
(кремний на изоляторе), которые являются более дорогими.
Обновленная технология Z-RAM была реализована в тестовой
микросхеме компанией Hynix Semiconductor. Как отмечает ISi, этот чип
наглядно продемонстрировал, что Z-RAM имеет все шансы заменить
традиционную память и обладает более низкой себестоимостью по сравнению с
любой DRAM-технологией при использовании техпроцесса с проектными
нормами 40 нм и ниже. Z-RAM сравнима с DRAM по энергопотреблению и
быстродействию.
Как отметил президент и CEO Innovative Silicon Марк-Эрик Джонс
(Mark-Eric Jones), DRAM была основной технологией памяти на протяжении
сорока лет, но ей пришло время уступить место передовой
"безконденсаторной” Z-RAM. Представитель Hynix Semiconductor считает,
что ISi удалось устранить недостатки и преодолеть ключевые барьеры,
стоящие на пути всех технологий памяти с "плавающим телом”.
Более подробно о достоинствах обновленной технологии Z-RAM описано в
материале "Remarkable Low Voltage Operation of Z-RAM”, который будет
представлен на крупнейшей отраслевой конференции 2010 VLSI Technology
Symposium.
|